Numéro de produit du fabricant:
TSM1NB60SCT B0G
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM1NB60SCT B0G-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Description détaillée:
N-Channel 600 V 500mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92
Inventaire:
12899688
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SOUMETTRE
TSM1NB60SCT B0G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
500mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
10Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
138 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
TSM1NB60SCT B0GDKR
TSM1NB60SCT B0GDKRINACTIVE-DG
TSM1NB60SCT B0GTR-DG
TSM1NB60SCTB0GCTINACTIVE
TSM1NB60SCTB0G
TSM1NB60SCT B0GCT
TSM1NB60SCT B0GCTINACTIVE-DG
TSM1NB60SCT B0G-DG
TSM1NB60SCT B0GCT-DG
TSM1NB60SCT B0GDKR-DG
TSM1NB60SCTB0GDKRINACTIVE
TSM1NB60SCT B0GTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STQ1HNK60R-AP
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
7445
NUMÉRO DE PIÈCE
STQ1HNK60R-AP-DG
PRIX UNITAIRE
0.20
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
STQ2HNK60ZR-AP
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
9835
NUMÉRO DE PIÈCE
STQ2HNK60ZR-AP-DG
PRIX UNITAIRE
0.28
TYPE DE SUBSTITUT
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